功率器件
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- Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3 3 mm x 3 3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。
2024-03-14 16:34:45
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- Axcelis 宣布参与 2024 年上海国际半导体展览会 (SEMICON China)
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美通社 --AxcelisTechnologies,Inc （纳斯达克股票代码：ACLS），一家致力于为半导体行业提供离子注入解决方案的领先供应商，今日宣布将参与2024年SEMICONChina期间举办的功率及化合物半导体论坛。该活动将于2024年3月20日至2024年3月22日在上海新
2024-03-14 18:53:08
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- 东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件－通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸－
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。这两款器件的输出电流（DC）额定值分别为1A和2A，于今日开始支持批量出货。
2023-10-27 11:03:22
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- 东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）——“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。这两款器件的输出电流（DC）额定值分别为1A和2A
2023-10-26 14:27:20
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- 东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-29 17:22:24
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- 东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL?（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-18 00:08:03
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- 碳化硅功率器件产业化领军者「泰科天润」获海尔创投等数亿元E轮投资
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在“碳达峰、碳中和”的大背景下，绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展，电气化和能源的高效利用将推动碳化硅半导体行业快速发展。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高
2023-08-17 17:42:09
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- 瑞能半导体全球首座模块工厂在上海湾区高新区正式投入运营 | 将主要生产应用于消费、通讯、新能源以及汽车相关的各类型功率模块产品
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7月25日，瑞能微恩半导体暨瑞能金山模块厂开业典礼在上海湾区高新区隆重举行，标志着瑞能全球首座模块工厂正式投入运营，将主要生产应用于消费、通讯、新能源以及汽车相关的各类型功率模块产品，串联客户和生态圈，积极推动行业高质量发展。
2023-07-27 09:15:11
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- 2023 中国IC设计100 排行榜
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AspenCore 2023中国IC设计Fabless 100排行榜共分为12大技术类别，每个类别评选出Top 10。
2023-07-14 00:32:30
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- 安森美主驱功率模块产品线经理 Bryan Lu：SiC Traction模块的可靠性基石AQG324
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前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了解了。
2023-07-12 03:09:23
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- 深化半导体产业布局！南昌市产投集团投资助力中芯集成首发上市
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近日，南昌市产投集团所属投资平台南昌新世纪创投公司参与投资的绍兴中芯集成电路制造股份有限公司（股票代码：688469）正式在上海证券交易所科创板挂牌上市。
2023-05-21 17:00:12
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- 减小电动汽车主驱逆变器的尺寸与重量并提高续航里程|安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议
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极氪将采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，以配合其不断扩大的高性能纯电车型产品阵容，实现更强的电气和机械性能及可靠性。这些功率器件提供更高的功率和热能效，从而减小其电动汽车主驱逆变器的尺寸与重量，并提高续航里程。
2023-04-26 10:29:41
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- 材料科学与工程|安森美：揭秘碳化硅芯片的设计和制造
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JTE技术可以在SiC MOSFET的边缘区域形成一些深度掺杂的控制区域，这些区域可以有效地抑制移动离子的漂移。此外，JTE技术还可以在控制区域中引入一些特殊的物质，例如氮、硼等，这些物质可以与移动离子发生化学反应，从而减少其在MOSFET中的积累和漂移。
2023-04-04 15:46:05
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- 大联大品佳集团推出基于Infineon iMotion产品的吊扇方案
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2022年11月17日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）IMD112T芯片的吊扇方案。
2022-11-17 16:20:03
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- 瑞能半导体亮相2022慕尼黑华南电子展 | 携硅基、碳化硅基等多款功率器件产品盛装亮相
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2022慕尼黑华南电子展(electronica South China)在深圳国际会展中心盛大开幕。作为全球领先的功率半导体厂商，瑞能半导体携硅基、碳化硅基等多款功率器件产品盛装亮相。
2022-11-16 16:23:10
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- 东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计
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【“TWINHOW 推好”科技观察：东芝推出智能栅极驱动光耦】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2 5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC。
2022-08-31 15:31:06
