MOSFET
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- Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平，可显著提高功率密度、能效和热性能
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3 3 mm x 3 3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。
2024-03-14 16:34:45
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- 国基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技术攻关，打造汽车电子中国“芯”
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超净厂房里，科研人员坐在电脑前操控，一台台精密仪器自动化运行；生产车间里，比绣花针还细的测试探针在芯片间高速移动，这是自动测试台在对一片已完工的6英寸碳化硅晶圆进行测试…
2024-02-29 11:29:23
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- 东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率
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【ZiDongHua之新品发布台文收录关键词：东芝调节器二极管MOSFET】东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI
2024-02-22 15:12:28
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- Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc 宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3 3 mm x 3 3 mm PowerPAK
2024-02-20 16:00:30
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- 意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场
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服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST) 与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车签署了一项碳化硅
2023-12-22 16:25:14
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- “芯”火燎原丨中汽创智首批自主研发SiC MOSFET正式下线
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11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构
2023-12-01 17:11:34
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- 东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-11-08 17:01:49
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- 安森美可再生能源与电动汽车应用技术大会开启在即
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2023年11月1日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi) 将于11月14日、16日及21日分别于深圳、苏州、上海举行“安森美可再生能源与电动汽车应用技术大会”。
2023-11-01 18:29:43
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- 碳化硅将推动车载充电技术随电压等级的提高而发展
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虽然“续航焦虑”一直存在，但混合动力、纯电动等各种形式的电动汽车 (EV) 正被越来越多的人所接受。汽车制造商继续努力提高电动汽车的行驶里程并缩短充电时间，以克服这个影响采用率的重要障碍。
2023-09-18 20:28:58
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- 东芝进一步扩展Thermoflagger™产品线---检测电子设备温升的简单解决方案
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中国上海，2023年9月14日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，进一步扩展ThermoflaggerTM过温检测IC产品线---“TCTH0xxxE系列”。该系列可用于具有正温度系数（PTC）热敏电阻的简单电路中，用来检测电子设备中的温度升高，六款新产品于今日开始支持批量出货。
2023-09-15 16:14:15
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- 意法半导体SiC技术助力博格华纳Viper功率模块设计，为沃尔沃下一代电动汽车赋能
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意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅（SiC）功率MOSFET，支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现电动化目标? 博格华纳将采用意法半导体碳化硅芯片为沃尔沃现有和未来的多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）将
2023-09-14 17:51:01
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- 大联大品佳集团推出基于Infineon产品的140W电源适配器方案
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2023年9月7日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XDPS2221芯片的140W电源适配器方案。
2023-09-07 17:00:36
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- Vishay推出业内先进的小型6 A、20 A和25 A降压稳压器模块，提高POL转换器功率密度
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microBRICK器件采用10 6 mm x 6 5 mm x 3 mm封装，小于竞品解决方案69 %，输入电压4 5 V至 60 V美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年9月6日
2023-09-07 16:59:00
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- 东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
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中国上海，2023年8月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-08-31 22:50:05
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- 东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-29 17:22:24
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- 东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL?（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-18 00:08:03
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- 东芝低导通电阻车规N沟道MOSFET为车载设备赋能
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东芝低导通电阻车规N沟道MOSFET为车载设备赋能汽车智能化的发展使车用MOSFET蕴含巨大增量空间，据相关数据显示，在ADAS、安全、信息娱乐等功能的不断迭代下，单车MOSFET使用量可达200-400颗，前景广阔。
2023-08-04 15:22:36
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- 东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化|通过减少损耗来提高电源效率，并帮助降低设备功耗
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新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-06-29 14:38:47
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- 安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
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自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。
2023-06-27 12:06:59
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- 助力提高电源效率|东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET|适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器
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该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品。
2023-06-13 17:49:08
