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  • Vishay推出通过严格军标认证的新型Bulk Metal®箔电阻及其代替器件
    Vishay推出通过严格军标认证的新型Bulk Metal®箔电阻及其代替器件

    QPLRNC90Y和非QLPS555高可靠性箔电阻具有±0 005%的负载寿命稳定率、±0 005%的容差和高达25kV的ESD免疫能力  宾夕法尼亚、MALVERN—2009年5月20日—日前,VishayIntertechnology,Inc (NYSE股市代号:VSH)宣布,已将其QPLRNC90Y系列高可靠BulkM

    2009-05-21 10:11:53

  • Intersil推出业界最高精度、最低功耗的5V供电高增益pinPointTM运算放大器
    Intersil推出业界最高精度、最低功耗的5V供电高增益pinPointTM运算放大器

    采用专利设计的ISL28133运算放大器具有高精度、零漂移和低直流噪声,是工业和过程控制中16位和24位精密应用的理想之选  美国加州、MILPITAS—2009年05月15日—全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球精选市场交易代码

    2009-05-21 09:46:56

  • 霍尼韦尔全面推广MASTERLOGIC系列可编程逻辑控制器

      中国,北京,2009年5月6日–霍尼韦尔(NYSE:HON)今日宣布将为全球过程制造商推广其MasterLogic系列高速、紧凑的可编程逻辑控制器(PLC)。MasterLogic确保为高速逻辑、联锁以及顺序过程应用提供强大控制能力以及耐用性。霍尼韦尔遍布全球的广泛

    2009-05-21 08:42:05

  • 霍尼韦尔新型SHADOW® 8安全光幕为金属冲压成型作业提供绝佳安全性

      中国,北京,2009年4月19日–霍尼韦尔(NYSE:HON)Wintriss宣布推出新型Shadow®8安全光幕,该安全光幕具备外型小巧、坚固耐用、可扩展等特点,适用于诸如金属冲压和成型的生产过程。这一最新的Shadow系列安全光幕产品能够仅通过一对光缆与Win

    2009-05-21 08:06:50

  • LED产业稳定增长 面临自主创新机遇
    LED产业稳定增长 面临自主创新机遇

    中国光学光电子行业协会LED器件分会理事长郭玉国国内LED产业近两年增长趋于稳定,在2008年,从技术发展、应用发展、经济规模发展等各个层面,都交出了一份基本满意的答卷。但从另一个角度讲,产业发展所面临的主要问题,也有集中的显现。2003-2007

    2009-05-20 16:00:49

  • 波士专利新品-基于网络协议层隔离的网闸
    波士专利新品-基于网络协议层隔离的网闸

      应市场需求,武汉波仕电子公司于2009年5月推出全新产品-网络安全文件交换器BOK201 2系列产品。发明专利号:200920085773。  网络安全文件交换器主要用于连接用户的个人计算机与企业内部网计算机之间,或是任意两台计算机之间。主要用于它们之

    2009-05-20 08:09:29

  • 德科学家研制出世界最快硅芯片

      德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布,该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片,这种芯片可以同时处理260万个电话数据,其运算速度是目前记录保持者英特尔芯片的4倍。  据卡尔斯鲁尔大学该项目负责人约尔格·劳特霍德介绍,这一

    2009-05-19 09:15:27

  • Vishay发布三款经CECC认证的新型高精度Bulk Metal®箔电阻
    Vishay发布三款经CECC认证的新型高精度Bulk Metal®箔电阻

    器件适用于航空、国防、航天应用;具有±2ppm ℃的典型TCR、±0 01%的容差、小于1秒的瞬时热稳定时间,工作2000小时后的负载寿命稳定率为±0 005%(50ppm);可“按需”提供电阻值,且无需增加成本或延长交货时间  宾夕法尼亚、MALVERN—2009年4月3

    2009-05-11 16:40:34

  • Vishay发布业界首款翼式且采用4040封装尺寸的超薄、大电流电感器

    最高频率可达1 0MHz,典型DCR低至0 64mΩ;对于分离PCB,新型IHLW-4040CF-11电感器使PCB板两侧的厚度都不超过1 2mm  宾夕法尼亚、MALVERN—2009年4月28日—日前,VishayIntertechnology,Inc (NYSE股市代号:VSH)宣布,推出业界首款翼式且采用40

    2009-05-11 15:14:26

  • Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET
    Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET

    该器件将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装,在2mmx2mm的占位面积内用两个20VP沟道功率MOSFET将导通电阻最多可减少44%  宾夕法尼亚、MALVERN—2009年4月30日—日前,VishayIntertechnology,Inc (NYSE股市代号:VSH)宣布,推出具有两

    2009-05-11 14:20:44