【自动对焦：MOSFET】金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（ l-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

 

 

东芝推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”

 

 

中国上海，2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。

 

与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。

 

与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

 

 

东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。

 

 

  • 应用：

 

 

- 通信设备电源

 

 

- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）

 

 

  • 特性：

 

 

- 优异的低损耗特性（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡）

 

 

- 卓越的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

 

 

- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃

 

 

  • 主要规格：

 

 

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

 

 

注：

 

 

[1] 截至2022年3月的东芝调查。

 

 

[2] 栅极开关电荷和输出电荷。

 

 

[3] 与现有产品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。

 

 

 

贝恩资本考虑向东芝提出收购

 

中新经纬4月1日电 据华尔街中文网1日报道，东芝最大股东有意愿将持有股份出手给美国私募股权集团贝恩资本，贝恩资本也提出希望与多方讨论，但暂未做决定。

报道提到，东芝最大股东Effissimo资本管理公司在一份监管文件中表示，如果贝恩资本发起收购，Effissimo将出售持有的全部东芝股份，Effissimo持有东芝约9.9%股份。

报道提到，贝恩资本表示，希望与东芝公司管理层、日本政府、金融机构进行认真仔细的讨论。该公司提醒说，目前尚未做出任何决定，要发起收购东芝的私有化还有许多问题需要解决。

报道提到，东芝发言人表示，该公司目前尚未收到贝恩的任何收购提议，该公司也不了解Effissimo与贝恩之间协议的细节。

据路透社报道，此前，东芝计划分拆包括半导体在内的设备业务，使其上市。

报道提到，在经历试图一分为三却遭到股东的猛烈批评后，东芝表示分拆为两家公司的安排将比最初的计划更节省成本，也会更顺利。

但这一计划也遭到股东否决。华尔街中文网此前报道提到，外国股东反抗强烈，一些外国股东希望将东芝拍卖给出价最高者。(中新经纬APP)