【ZiDongHua 之“会展赛培坛”标注关键词：九峰山实验室 检测技术 研讨会 半导体 第三方检测   】
　　
　　首届九峰山实验室“天工开物检测技术研讨会”成功举办
　　
　　9月21日，“天工开物”检测技术研讨会首期活动在湖北武汉九峰山实验室隆重举行。本期研讨会以“先进电镜技术与半导体产业应用”为主题，聚焦4D-STEM与原位电镜技术前沿，系统展示透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）及电子背散射衍射（EBSD）等微纳分析手段在半导体领域的应用。本次活动吸引高校、研究所、科研机构、半导体企业、仪器设备商等共计 78 家单位、150 余名专家现场参会，2500 余名嘉宾线上参会。
 
　　
　　 参会嘉宾合影
 
　　
　　 会议现场实拍
　　
　　会议开幕，九峰山实验室检测中心总经理肖科致辞。
 
　　
　　肖科
　　
　　九峰山实验室检测中心总经理
　　
　　九峰山实验室紧扣产业共性技术需求，坚持以应用为导向开展科研布局。实验室化合物半导体中试平台被认定为首批国家级制造业中试平台，配备7 条成熟的化合物半导体中试工艺线以及行业领先的检测平台。其中，检测认证中心自2023年正式投入运营以来，已在半导体失效分析、微观结构表征、材料与化学分析、可靠性验证等核心领域形成系统的技术能力，并基于CMA、CNAS双重国家资质认证，建立起覆盖229项测试项目的完整能力体系，具备从研发阶段验证到量产质量控制的完整技术支撑能力。
　　
　　接下来，检测中心还将积极联动国内设备、材料、EDA 领域相关企业开展技术与设备验证，携手产业各方，合力共建技术创新高地与产业发展中心。
　　
　　主题报告环节，多位嘉宾围绕电镜技术进展与产业应用展开分享。
　　
　　王毅
　　
　　南京航空航天大学教授、分析测试中心主任
　　
　　南京航空航天大学教授、分析测试中心主任王毅作《透射电镜和扫描电镜中的4D-STEM》报告，介绍该技术单次采集即可实现原子电场、电荷分布与应力分布的高精度成像。
　　
　　都安彦
　　
　　九峰山实验室战略顾问
　　
　　九峰山实验室战略顾问都安彦作《透射电子显微镜在高端芯片研发和量产中的应用》报告，提到14nm及以下节点晶体管结构转向FinFET三维结构，常规CD SEM已无法用于工艺控制，TEM已成为主流晶圆厂该节点的工艺控制手段。
　　
　　王锋
　　
　　国仪量子技术（合肥）股份有限公司 电镜解决方案负责人
　　
　　国仪量子技术（合肥）股份有限公司电镜解决方案负责人王锋以《自主可控·精准表征先进半导体失效分析与表征国产化解决方案》为题，介绍国产电镜在缺陷定位、截面分析与形貌成分表征等场景中的解决方案与落地经验。
　　
　　王建波
　　
　　武汉大学教授、平台主任、设备处处长
　　
　　武汉大学教授、平台主任、设备处处长王建波作《纳米半导体材料构效关系原子尺度原位研究》报告，介绍其利用原位环境透射电子显微学，在原子尺度跟踪金属氧化物等纳米半导体在外场激励下的原子配位与缺陷演变。
　　
　　盛华平
　　
　　Gatan, Inc. 应用专家
　　
　　Gatan, Inc. 应用专家盛华平以《F1-GIF：电子能量损失谱表征新时代》为题报告，分享了5D STEM工作流。通过5D STEM将结构、内势和化学信息关联在一起，实现 EELS 与4D STEM 的同区联动采集；在一套工作流程内自动完成复杂多模态数据采集，免去人工切换操作，简化高阶分析流程；将化学、结构与高阶成像信息整合为一套空间对准的协同数据集。
　　
　　周毅
　　
　　厦门大学副教授、南强青年拔尖人才
　　
　　厦门大学副教授、南强青年拔尖人才周毅作《先进原位in situ电镜技术》报告，并介绍了液相POM单离子成像及动态追踪，溶液中POM离子高分辨成像精确获得单离子真实结构及其外环境信息。
　　
　　吴劲松
　　
　　武汉理工大学教授、纳微结构研究中心主任
　　
　　武汉理工大学教授、纳微结构研究中心主任吴劲松以《价态变化型氧化物忆阻器中单个氧空位的定量表征与结构演化》为题介绍，原位透射电镜观测显示，SrNbO?.?中氧空位数少于3个时可逆生成与湮灭，过量空位则引发缺陷结构、降低循环稳定性，其机制不同于传统的导电细丝形成模型。
　　
　　陈隆
　　
　　三安光电股份有限公司失效性分析处负责人
　　
　　三安光电股份有限公司失效性分析处负责人陈隆作《LED芯片失效分析介绍》报告，结合Micro chip、高压Mini chip及Normal chip三类产品案例，介绍SEM、TEM在LED失效定位与机理分析中的应用。
　　
　　田佳民
　　
　　平湖实验室研究员
　　
　　深圳平湖实验室研究员田佳民作《从原子到器件——多尺度电镜表征技术在半导体工业中的应用实践》报告，介绍了4D-STEM、原位电子全息与Laser-PFIB三项技术，其中Laser-PFIB制样效率较传统镓离子FIB提升数千至万倍。
　　
　　马岚
　　
　　牛津仪器科技（上海）有限公司应用科学家
　　
　　牛津仪器科技（上海）有限公司应用科学家马岚作《多尺度表征技术在半导体微观结构与力学性能研究中的应用进展》报告，介绍能谱（EDS）、电子背散射衍射（EBSD）与纳米压痕相结合的联合表征思路。
　　
　　除了精彩的报告环节，超新芯科技、中科创新、博众仪器、上海微纳、国仪量子、速普仪器、索思精密、金竟科技、泽攸科技、牛津仪器、百实创、屹东光学、日本电子、芯光检测等企业携最新的技术及产品亮相现场。
　　
　　研讨会结束后，与会嘉宾一同参观了九峰山实验室并交流探讨。作为本次研讨会的首期活动，先进电镜技术与半导体产业应用研讨会为电镜技术在化合物半导体领域的应用搭建了一个高水平的交流平台。未来，将持续推出系列技术研讨会，围绕化合物半导体产业链的关键环节，推动更多技术方向的深度交流与产业协同。