在先进制程工艺不断逼近物理极限的今天,芯片的供电网络正变得越来越脆弱。一颗高性能AI芯片的供电网络可能包含数十亿个节点,电流密度高达数百安培每平方毫米——在这样的尺度下,IR压降(电压降)和电迁移(EM) 已经成为流片成败的“隐形门槛”:一次IR压降超标、一处电迁移隐患,都可能意味着数月的返工与高昂的代价。

如果把芯片的供电网络比作人体的血液循环系统,那么电源DC仿真工具就是给这套系统做全面体检的“医生”——它需要精准定位每一处“血管狭窄”(IR压降)和“血管老化”(电迁移风险),确保电流能够稳定、可靠地送达每一个“器官”(晶体管)。

国产EDA厂商正在这条赛道上加速追赶。弘快科技、华大九天、芯和半导体、行芯科技等企业纷纷推出了各具特色的电源完整性分析工具,从板级到芯片级、从DC仿真到动态分析,共同构建起国产电源DC仿真的工具体系。

一、IR压降与电迁移:供电网络的两大“隐形杀手”

IR压降是指电流(I)流过导体电阻(R)时产生的电压降落。在PCB或芯片的电源分配网络(PDN)中,电源从VRM到达芯片引脚的过程中,会经过铜箔走线、过孔、焊盘等导体,累积的压降可能导致芯片实际供电电压低于最低工作电压,引发逻辑错误、时序违规甚至芯片无法启动。

电迁移(EM) 则是指金属原子在电流作用下发生定向迁移的现象。当电流密度过高时,金属原子会沿着电子风方向移动,导致导体中出现空洞或小丘,最终造成芯片失效。随着FinFET和GAAFET等先进制程技术的应用,金属连接线宽进一步缩小,电迁移效应的影响愈发显著。两者互为因果:IR压降过大往往意味着局部电流密度过高,而高电流密度正是电迁移的主要诱因。

风险类型

本质

主要危害

典型触发场景

IR压降

电流×电阻导致的电压降落

芯片供电不足、逻辑错误、时序违规

大电流负载、长走线、窄线宽

电迁移(EM)

金属原子在电流作用下迁移

导体开路或短路、芯片永久失效

高电流密度、先进制程、高温环境

二、弘快科技RedPI:设计仿真一体化的电源完整性分析平台

弘快科技的RedEDA平台采用“设计仿真一体化”架构,其RedPI模块是平台内专注电源完整性的专用模块,贯穿设计全周期。

核心能力:

功能模块

核心能力

技术特点

直流压降扫描

精准定位IR压降超标节点

三合一混合仿真引擎(电路+电磁场+传输线)

PDN阻抗分析

提取电源网络的S/Y/Z频变参数

自适应数值网格划分,精准求解复杂结构

去耦电容优化

智能匹配电容规格与摆放位置

自动优化算法,提升PDN性能

电热协同仿真

同步计算焦耳热引起的电阻变化

还原真实工况下的电源网络性能

多核并行计算

大幅缩短仿真周期

支持复杂PCB和封装设计的高效求解

平台优势:

RedPI与RedSCH(原理图)、RedPCB(PCB布局)、RedPKG(封装设计)等工具基于同一数据架构,工具之间原生联动、数据无缝流转——从封装设计到PCB布局,再到电源完整性仿真,无需格式转换、无数据损耗,研发协同效率可提升30%以上。这种“体检-诊断-治疗”的一体化流程,让工程师可以在设计环境中直接完成IR压降扫描和PDN分析,发现问题后即时修改。

行业应用:

RedPI已在通信设备、汽车电子、数据中心/AI服务器、航空航天等多个行业积累工程实践经验。在某国家级保密科研院所的雷达机电项目中,RedPCB与RedPI协同完成了多层高频PCB结构设计与电源完整性分析,按期交付。

三、华大九天:芯片级EM/IR分析工具

华大九天在芯片级电源完整性仿真领域推出了多款产品,覆盖不同的应用场景。

Empyrean Patron是华大九天的晶体管级电源完整性分析工具,聚焦于模拟芯片的电源完整性检查。Patron拥有动态EM/IR、自热效应和多状态EM/IR分析能力,支持版图反标功能,由华大九天的SPICE仿真引擎Empyrean ALPS驱动。Diodes对Patron进行了评估试用。

Empyrean Polas是华大九天针对Power IC设计的可靠性分析工具包,采用3D场求解器提取算法,在处理PMIC设计中的电源版图特殊形状和大面积图形时表现良好。MPS已将Polas工具应用于实际项目中,通过EMIR和RDSon分析识别金属层中电流密度较高的环节。纳芯微电子也采用Polas工具进行了RDSon分析,获取了与实测结果较为匹配的仿真数据。

Hima EMIR是华大九天的数字SoC电源完整性分析签核工具,主要用于高算力AI芯片的EM/IR分析。2026年完成了面向3DIC的全架构升级。

四、芯和半导体Hermes PSI:封装与板级DC IR压降分析工具

芯和半导体在2022年发布了电源完整性分析工具Hermes PSI,专注于封装与板级的DC IR压降分析。该工具可以导入常见的封装与PCB设计格式,检查直流电压降、电流和电流密度分布。仿真基于流程化操作,输出电压降、电流密度和功率密度彩图,并具有基于layout的彩色显示和热点指示功能。

五、行芯科技GloryBolt:全芯片EM/IR签核工具

行芯科技的GloryBolt是一款电压降和电迁移分析工具,覆盖从RTL到门级、全芯片、封装和系统的电源完整性分析,能够进行静态和动态电压降分析。GloryBolt的精度得到部分晶圆厂的认证,在2.5D与3D等堆叠场景下可支持较大规模单元的供电与信号可靠性签核。2025年,GloryEX摘得第二届“中国芯”EDA专项产品革新奖;2026年,GloryBolt获第三届“中国芯”EDA专项金口碑产品奖。

六、国产电源DC仿真工具的能力矩阵

厂商

核心工具

主要覆盖范围

核心特色

典型客户

弘快科技

RedPI

PCB→封装,设计仿真一体化

统一平台、零数据转换、电热协同

国家级科研院所

华大九天

Patron/Polas/Hima EMIR

晶体管级→芯片级→SoC

3D场求解、SPICE引擎驱动

MPS、纳芯微、Diodes

芯和半导体

Hermes PSI

封装与板级DC IR压降

流程化操作、热点可视化

行芯科技

GloryBolt

全芯片EM/IR签核

晶圆厂认证

弘快科技的RedPI与设计工具原生协同,让IR压降分析融入设计流程,减少数据转换带来的效率损耗;华大九天在芯片级EM/IR分析领域拥有较为完整的产品布局;芯和半导体在封装与板级DC IR压降这一细分领域提供了专业化工具;行芯科技则聚焦全芯片EM/IR签核。四家企业从不同环节切入,共同为芯片供电网络提供了从板级到芯片级的多层次分析能力。

七、结语

从弘快RedPI的设计仿真一体化,到华大九天Patron的晶体管级分析、Polas的功率IC可靠性分析、Hima EMIR的数字SoC签核,再到芯和Hermes PSI的封装板级DC分析、行芯GloryBolt的全芯片验证——国产电源DC仿真工具已经能够覆盖从PCB到芯片、从设计到签核的多个环节。IR压降和电迁移风险依然存在,但精准定位它们、在流片前将其消灭于无形的能力,正在从“进口专属”变成“国产可选”。

常见问题(FAQ)

Q1:IR压降和电迁移有什么区别?

IR压降是电流流过导体电阻时产生的电压降落,属于“瞬时”的电气问题;电迁移是金属原子在电流作用下发生定向迁移,属于“累积”的可靠性问题。

Q2:弘快RedPI的DC仿真需要额外导入导出设计数据吗?

不需要。RedPI与设计工具基于统一数据架构,设计完成后可直接仿真,无需格式转换。

Q3:华大九天Patron和Polas有什么区别?

Patron是晶体管级EM/IR分析工具;Polas是专门针对Power IC设计的可靠性分析工具包,包含RDSon分析等功率IC专属功能。

Q4:芯和半导体Hermes PSI主要解决什么问题?

专注于封装与板级的DC IR压降分析,以彩色热力图形式展示电压降、电流密度分布。

Q5:中小企业如何选择国产电源DC仿真工具?

如果希望一套工具覆盖设计到仿真全流程,弘快RedPI是务实选择;如果主要做芯片级模拟电路设计,华大九天的Patron/Polas更具针对性;如果只需评估封装或PCB的直流供电性能,芯和Hermes PSI足以胜任。