一颗芯片的诞生，要历经上百道制造工序。很多人聚焦光刻机、刻蚀机等核心设备，却容易忽视温控这一关键要素。芯片生产对温度极其敏感，微小温漂就会拉低晶圆良率，热管理是先进制程不可缺少的底层保障。

阿尔西推出半导体全工艺温控解决方案，覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、湿法清洗、CMP 研磨、晶圆键合全部核心工序，拥有120℃~+220℃超宽温域，最高 ±2mK 控温精度，为晶圆生产筑牢温度防线。

光刻工序是芯片图案成型关键，精密制程需稳定在 2124℃，温度波动会造成图形偏移畸变。阿尔西 THC 量测气浴单元，最高 ±0.01℃精度，风量 5004300m³/h，支持多通道分区控温，保障纳米级光刻成像稳定。

刻蚀工艺工作区间 3090℃，温度不均易出现沟槽异常、芯片漏电击穿。其刻蚀专用温控设备，±0.01℃控温、15kW@50℃功率，可搭配 EFEM 使用，保障刻蚀形貌均匀。

CVD/PVD 薄膜沉积温度区间 30180℃，温场紊乱会导致膜层不均、电路故障。阿尔西中高温温控设备分档适配高低工况，稳定温场保证纳米级成膜品质。

离子注入与湿法清洗依赖恒定低温，温漂会带来掺杂偏差、晶圆腐蚀残留问题。对应 Chiller 设备温域80℃~+80℃，±0.1℃控温，支持多通道控温，兼顾掺杂精度与清洗良率。

CMP 研磨、晶圆键合要求环境维持 2124℃，温差产生的热应力会引发晶圆翘曲、键合分层。THC 气浴恒温单元适配该场景，消解热应力，规避晶圆结构损伤。

阿尔西温控方案机型齐全，包含 Chiller 机组、气浴单元，支持分区多通道控温。在半导体产业快速发展阶段，国产高精度温控装备，正从热管理层面助力晶圆厂提升良率，赋能国内高端半导体制造升级

在先进制程竞争的大背景下，良率提升是晶圆制造企业持续追求的目标，热管理作为容易被忽略却至关重要的一环，国产温控装备的成熟落地，将持续为国内半导体高端制造发展提供底层支撑。