中微公司参加第十九届全国MOCVD学术会议
7月27日至29日，第十九届全国MOCVD学术会议在内蒙古呼和浩特隆重举行。中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，证券代码：688012）受邀参会。中微公司MOCVD团队出席本次会议，并在MOCVD暑期讲习班及“材料生长、表征与装备”专题论坛中发表专题讲座与主题演讲，与全球产业同仁就技术演进趋势及创新方向展开了深入交流。
中微公司参会人员合影
作为聚焦MOCVD技术与化合物半导体材料器件研发的重要交流平台，全国MOCVD学术会议自1989年创办以来，规模与影响力持续提升，已成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。本次会议旨在系统探讨MOCVD领域的关键问题，推动产学研协同发展。
7月27日，中微公司集团副总裁、MOCVD产品事业部总经理郭世平博士应邀出席MOCVD暑期讲习班，分享了题为《MOCVD设备技术现状、发展趋势及其应用》的专题讲座，系统梳理了MOCVD技术的发展历程与MOCVD设备的研发情况。郭世平博士指出当前MOCVD技术已进入成熟发展阶段，其技术进步主要体现在三个方面：一是反应腔体设计持续优化；二是原位实时监测与控制技术广泛应用，实现了生长过程的精确调控；三是自动化与智能化水平显著提升，通过数据驱动优化工艺与运维。未来随着3D显示、高速光互联及算力数据中心等领域的应用拓展，大尺寸规模化生产的成本效益将逐步显现，并引领行业。
郭世平博士做讲习班专题讲座
7月28日，中微公司工艺主任工程师林楠出席“材料生长、表征与装备”专题论坛，并发表题为《国产化大尺寸GaAs/InP基MOCVD设备和外延关键技术研究》的主题演讲。他深入剖析了针对GaAs/InP基外延量产中均匀性差、颗粒缺陷高等痛点，并重点介绍了公司自主研发的AsP基专用MOCVD设备等多项关键技术突破。该设备在6英寸GaAs基红光Micro LED和4英寸InP基外延上可实现高波长均匀性、炉次间可重复性以及低颗粒缺陷密度，将为红光Micro LED、光互联用激光器和探测器等高端光电子芯片规模化生产提供有力支撑。该演讲引起了在场嘉宾的广泛关注。
林楠博士做技术分享
未来，中微公司将继续瞄准“打造世界级装备企业”的战略目标，不断加大研发力度，持续夯实公司在高端微观加工设备领域的核心竞争力，秉承“五个十大”的企业文化，坚持三维立体发展战略，携手行业上下游的行业伙伴，实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展，在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司！
关于中微半导体设备（上海）股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司（证券简称：中微公司，证券代码：688012）致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如MOCVD，LPCVD，ALD，PVD，PECVD和EPI设备，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备，包括大平板显示设备等。这些设备都是制造各种微观器件的关键设备，可加工和检测微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。在近五年的全球半导体设备客户满意度调查中，中微公司总评分四次获得第三，薄膜设备四次被评为第一。
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