【mTT2026】邀请报告人——梁剑波
“第三届微纳热输运理论、材料与器件国际研讨会”（简称“mTT2026”）将于2026年7月30日至8月1日（30日报到）在北京举办。本届研讨会由中国微米纳米技术学会、美国物理联合会出版社、北京大学联合主办，多位领域内知名专家作邀请报告，欢迎持续关注！
邀请报告人
梁剑波
江苏第三代半导体研究院有限公司
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
苏州晶和半导体科技有限公司
梁剑波，博士，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）首席科学家，江苏第三代半导体研究院异质集成先进技术研发中心主任，苏州晶和半导体科技有限公司董事长兼总工程师。长期从事半导体异质集成、先进封装及常温直接键合技术研究，拥有17年以上研发经验。曾任大阪公立大学教授、日本JST特别研究员，2022年入选国家高层次人才。率先实现多种半导体材料与金刚石常温直接键合，在金刚石基GaN、高功率器件热管理及异质集成领域取得重要成果。主持国家重点研发及产业化项目十余项，发表论文150余篇，授权ZL12项。
报告摘要
随着人工智能、高性能计算、5G/6G通信、数据中心及先进传感技术的快速发展，半导体器件正朝着更高功率密度、更高工作频率和更高集成度方向发展，热管理已成为制约芯片性能持续提升的关键瓶颈。金刚石因其超高热导率（＞2000 W·m⁻¹·K⁻¹）、宽禁带、高击穿场强以及优异的化学稳定性，被认为是未来高性能电子器件和先进封装领域最具潜力的热管理材料之一。
然而，受限于大尺寸单晶金刚石制备、掺杂控制及器件加工等因素，金刚石直接作为功能器件材料仍面临诸多挑战。通过异质集成技术将金刚石与GaN、SiC、Si等成熟半导体材料结合，构建兼具优异电子性能和高效散热能力的新型异质结构，已成为国际研究热点。其中，常温直接键合技术能够在无需高温处理的条件下实现不同材料的高质量集成，有效避免热应力、界面开裂及材料性能退化等问题，为高性能异质集成提供了新的技术路径。
本报告将介绍金刚石常温异质集成技术的最新研究进展，重点围绕金刚石与Si、GaN、SiC等半导体材料的晶圆级直接键合技术展开。系统阐述表面活化键合技术原理、界面结构调控机制以及键合强度和可靠性提升方法，重点分析异质界面热输运行为及热边界电导（TBC）的调控机制。结合大尺寸多晶金刚石与半导体材料键合、GaN-on-Diamond异质集成以及高温热稳定性研究成果，探讨界面结构、退火工艺及声子输运对界面热阻的影响规律。
同时，报告将介绍超高真空常温键合装备及其在金刚石异质集成中的应用进展，展示从材料、工艺到装备协同创新的发展路径。最后，结合高功率电子器件、先进封装、硅光集成及三维异质集成等应用场景，展望金刚石异质集成技术在未来芯片热管理与系统集成中的发展机遇与挑战。研究表明，金刚石常温异质集成技术有望成为突破未来芯片功耗墙和热管理瓶颈的重要支撑技术，为下一代高性能电子与光电子系统的发展提供新的解决方案。
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