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　　兆易创新GD5F1GM9 SPI NAND Flash荣获2025年“中国芯”优秀技术创新产品奖

 
　　11月14日，兆易创新（GigaDevice）新一代GD5F1GM9 SPI NAND Flash产品在2025年“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十届“中国芯”优秀产品征集活动发布仪式上，荣获“优秀技术创新产品”奖。这一奖项充分肯定了兆易创新在存储芯片领域的技术实力与创新能力。
 
 
　　本届“中国芯”大会以“芯生万物，智算无界”为主题，在珠海横琴天沐琴台会议中心举行。作为国内集成电路领域最具影响力的行业评选之一，“中国芯”优秀产品评选活动自2006年启动以来，始终致力于推动中国芯片技术与应用的结合，已成为产业发展的“风向标”。本届评选共收到来自303家企业的410款产品报名，参选数量再创新高，产品覆盖领域广泛，竞争尤为激烈。
 
　　兆易创新此次获奖的GD5F1GM9产品是一款基于24nm工艺打造的高性能QSPI NAND Flash。该系列支持3V与1.8V工作电压，以及Continuous read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供了灵活的组合设计方案。
 
　　与传统的SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在关键指标上实现质的飞跃。其采用复杂ECC算法的并行计算方式，解决了传统串行计算方式带来的延迟问题，大幅提升纠错效率。在性能表现上，同等工作频率读取速度达到主流SPI NAND产品的2～3倍，能够为用户带来极致的性能体验。其新增的坏块管理（BBM）功能。可确保前256个Block均为出厂好块，并可有效应对使用过程中产生的新增坏块问题，极大减小了标准SPI NAND Flash在可靠性方面的风险。多重优势使得该系列成为安防监控、工业控制、IoT设备等快启应用的理想选择。
 
　　GD5F1GM9系列SPI NAND Flash的推出是兆易创新不断突破技术边界、以创新驱动发展的又一例证。未来，兆易创新将继续锚定全球存储技术前沿，紧密围绕客户需求，打造更多具有竞争力的存储解决方案，赋能千行百业的数字化变革。