650VGaN
-
- 新闻快讯｜瑞萨率先推出业界首款采用8mm × 8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向兆瓦级AI数据中心
-
与TOLT封装相比，双面散热（DSC）设计可将封装占板面积缩小57%，助力空间受限的兆瓦级机架实现更高功率密度。
2026-10-08 18:32:37
