半导体工艺
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- SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺
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韩国8英寸纯晶圆代工厂SKkeyfoundry今日宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质(ThickIMD)电容工艺。数字隔离器的高击穿电压特性可增强半导体器件的安全性与可靠性，同时延长器件的使用寿命并提升抗噪能力。新型多层厚金属间电介
2026-09-14 20:25:58
