【ZiDongHua 之“方案应用场”标注关键词：模拟电源 电源供应器 3kW 解决方案 生态合作   】
　　
　　

生态合作｜3kW 模拟电源供应器解决方案

　　
　　伴随AI服务器算力持续跃升、超大规模数据中心加速落地、新能源产业技术深度迭代，全球市场对高效率、高功率密度电源产品的需求，正迎来前所未有的爆发式增长。电源系统作为电子设备的核心动力单元，其功率上限与集成密度的综合性能，已成为决定终端产品核心竞争力的关键标尺。
　　
　　然而在实际研发落地中，电源设计的诸多共性痛点始终困扰着广大工程师：功率预留不足导致整机运行bug频出、追求高功率输出便难以压缩PCB尺寸、同等功率指标下设计方案的空间占用始终无法实现优化突破。这些难题是否也在拖慢你的研发进程？基于安森美（onsemi）图腾PFC产品设计的3kW AC/DC模拟电源供应器（PSU）解决方案，采用创新的拓扑架构与控制策略，旨在为工业与电信应用提供卓越的电力转换能力，让研发设计彻底摆脱功率与体积的两难桎梏。
　　
　　该3kW AC/DC模拟电源供应器（PSU）解决方案，基于安森美NCP1681与NCP4390核心控制器件开发，专为高功率电力转换场景打造，满足数据中心、工业设备与脱机电源系统等严苛应用的需求。
　　
　　方案采用创新拓扑架构与优化控制策略，同步推出SiC CJFET（碳化硅结型FET）与EliteSiC MOSFET（碳化硅）两个版本，可全面适用于AI服务器、工业自动化设备、新能源设施、电信基站等各类大功率供电场景，为高功率密度、高转换效率的电源产品研发提供成熟完整的解决方案。
　　
　　相较于传统MCU控制设计，使用模拟控制可降低设计复杂度、减少物料清单（BOM）成本并加速产品开发。NCP1681与NCP4390的协同运作，使本解决方案能满足现代电力需求，同时兼顾效率、可靠性与可扩展性。
　　
　　方案优势
　　
　　采用图腾PFC+半桥LLC拓扑，整机效率可满足80 Plus Ruby标准，功率密度达到40W/in3；
　　
　　结合NCP1681图腾柱PFC控制器与NCP4390 PWM及同步整流（SR）COMBO控制器，极大简化了电源转换流程；
　　
　　在230Vac（50%负载）条件下，实现高达96.9%的转换效率；
　　
　　负载大于10%时其功率因子大于0.99及负载超过20%时总谐波失真（THD）小于5%，从而为设备提供稳定可靠的电力供应；
　　
　　PCB尺寸仅为262mm x 105mm x 31mm，能轻松嵌入空间有限的设备中。
　　
　　版本一：SiC CJFET
　　
　　特点：低开关损耗，开关速度接近GaN，可提高轻载能效并具有成本优势。
　　
　　SiC cascode FET（碳化硅结型场效应晶体管）是一种高性能、常开启型（normally-on）JFET晶体管，VDS-max范围为650V到1700V。提供高开关频率和低至4毫欧的超低导通电阻RDS(on)，所需芯片面积不到其他技术的一半。此外，低栅极电荷（Qg）得以进一步减少导通损耗和开关损耗。SiC JFET专为优化用于电源单元（PSU）和下游高压DC-DC转换，以应对未来AI数据中心机架的巨大功率需求。
　　
　　版本二：EliteSiC MOSFET
　　
　　特点：开关损耗低，RDS(on)温度特性稳定且可靠，适合高温应用环境。
　　
　　EliteSiC MOSFET是一款碳化硅功率器件，具备低导通电阻、低电容和栅极电荷、-55°C至175°C宽温度范围（符合AEC-Q101汽车标准）等特性，能降低损耗、提升效率并支持高频操作，兼具高可靠性。其电压涵盖650V、900V、1200V、1700V，广泛应用于电动汽车、太阳能逆变器、服务器电源、工业电源等高压场景。
　　
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　　技术资料
　　
　　研讨会预告
　　
　　研讨会主题：基于SiC JFET的服务器与工业电源效率的功率密度优化方案
　　
　　研讨会时间：2026年10月13日 10:00
　　
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　　评选机制：根据需求明确度、问题深度等，每月评选出一位宝藏提问者，送上神秘礼品。
　　
　　注：限电子行业工程师参与，此活动长期有效。