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　　祝贺
复旦大学集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队荣获2025世界人工智能大会青年优秀论文奖！
　　
　　近日，2025世界人工智能大会青年优秀论文奖揭晓，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队凭借在Nature上发表的论文《Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection》获奖（图1）。
 
 
　　
　　图1.团队获奖证书随着AI时代的快速发展，AI计算对算力和能效需求的日益攀升。其中，信息存储速度决定了算力上限，而非易失存储技术则是实现超低功耗的关键。因此，探索“信息的非易失存储速度极限”已成为AI芯片能效突破最为关键的基础科学问题。现有信息存储主力因理论框架桎梏，存在电荷注入屏障，存储速度比芯片速度落后10万倍以上，亟需构建全新理论框架，实现非易失存储技术的速度突破。该论文基于底层物理创新，通过构建准二维泊松模型，理论预测了一种全新的电荷无极限超注入规律，打破了传统电荷注入屏障限制。实验中，团队通过构建狄拉克弹道加速通道，研制出擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒）的闪存器件，速度超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术（图2），成为人类目前掌握的最快半导体电荷存储技术。这一成果重新定义了存储技术边界，为下一代AI芯片的高能效计算奠定基础。Nature高度评价该研究“具有原创性的技术突破，足以奠定未来高速闪存的设计基础”。此外，该成果获CCTV、新华社等国内媒体广泛报道，并在国际论坛上获得广泛关注。
 
　　
　　图2.电荷超注入皮秒闪存器件性能比较
　　
　　这一突破性成果是团队师生协同创新的结晶。论文通讯作者刘春森研究员和周鹏教授为研究指明了方向，并在日常科研中倾囊相授、悉心指导，营造了勇于探索的学术氛围。在两位导师的带领下，论文学生第一作者向昱桐、王宠紧密合作，充分发挥各自专长，共同攻克研究中的诸多难题。同时，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院提供了有力支持，为团队的创新研究提供了坚实保障。世界人工智能大会青年优秀论文奖自创办以来已成功举办五届，深受青年科学家好评，成为人工智能领域青年学者展示才华的重要平台。该奖项由世界人工智能大会组委会主办，中国科学技术协会作为指导单位，上海市科学技术协会、上海科技发展基金会、全球高校人工智能学术联盟作为承办单位，面向全球高校、科研院所和企业开展评选。本次评选吸引了北京大学、清华大学、复旦大学等多所国内顶尖高校，以及加利福尼亚大学圣迭戈分校、哥伦比亚大学、南洋理工大学等海外知名院校的积极参与。经过严格的初评、复评和终评，专家评审委员会从199篇参评论文中评选出10篇青年优秀论文奖。