【ZiDongHua 之“半导体产业链”标注关键词：龙腾半导体 电力电子 功率半导体 】
 
　　论坛回顾 | 龙腾半导体实力亮相深圳AI PowerDC算力供电论坛
 
　　4月25日，由世纪电源网与电子研习社联合主办的“AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛”在深圳湾万丽酒店圆满举办。作为国内功率半导体领域的核心企业，龙腾半导体以参展商和演讲嘉宾的双重身份深度参与此次论坛，与众多行业专家、学者及产业链伙伴共同探讨AI算力时代下供电技术的前沿趋势与解决方案。
 
　
 
　　芯聚算力 智启未来
 
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　　现场实况
 
　　本次论坛聚焦AI算力爆发式增长背景下的供电技术变革，围绕数据中心供电高效化与绿色化升级、800V高压直流架构加速渗透、固态变压器（SST）等核心技术迭代等行业趋势，设置三大分会场：“算力电源技术革新”、“数据中心供电架构/SST”、“供电核心元件方案”。论坛汇聚了全国电力电子、数据中心、功率半导体领域的顶尖专家与领军企业，现场交流氛围热烈，专业观众参与度高，充分体现出行业对AI算力供电技术的高度关注。
 
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　　芯品亮相
 
　　作为本次论坛的重要参展企业之一，龙腾半导体在展区设立专业展台，系统展示了公司自主开发的功率器件及IGBT模块产品，覆盖从低压到高压、从分立器件到模块化的完整产品体系，彰显了公司在功率半导体领域的技术积累与供应服务能力。展位吸引了大量工程师前来咨询，龙腾半导体销售及技术支持团队就产品性能、应用场景及技术选型等问题提供了详尽解答，并与多位工程师就行业技术痛点与未来发展进行了深入交流，获得积极反馈，并达成初步合作意向。
 
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　　论坛演讲
 
　　论坛同期，龙腾半导体高压产品线张工发表了题为《高压MOSFET：进阶赋能新能源》的专题技术报告，分享了企业在高压功率器件领域的技术突破。梳理了高压MOSFET从传统VDMOS到超结结构的技术演进历程，对比了多次外延与沟槽工艺的技术差异，重点介绍了龙腾半导体G3第三代超结MOSFET平台的核心优势：采用5.5μm极致紧凑元胞结构，实现比导通电阻低至8.5mΩ·cm²，栅极电荷降低24%，并实现输出电容降幅达50%。
 
　　
 
　　目前，龙腾半导体超结MOSFET已覆盖650V–1200V全电压等级，同步推出第三代 SiC MOSFET 技术，凭借更低的比导通电阻、更优的开关效率，满足数据中心、储能、充电桩、车载电源等多领域应用需求。依托IDM全产业链自主可控优势，结合先进封装技术与严苛的可靠性测试，持续为AI算力供电、新能源及电力电子领域，提供高效稳定、高功率密度的核心功率器件。
 
　　本次AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛，是龙腾半导体在算力与新能源赛道的又一次重要亮相。未来，公司将紧密围绕数据中心、新能源等前沿需求，深化在超结MOSFET、IGBT及SiC MOSFET等高端功率器件领域的技术研发与产品迭代，推动功率半导体向更高效率、更可靠方向持续演进，积极助力国家“双碳”战略。