【ZiDongHua 之“推好新品榜”收录关键词：东芝 SiC MOSFET 碳化硅】

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－

 

中国上海，2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。

 

 

四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。

 

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

 

 

测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω

续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）

图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

 

  • 应用：

 

  • 特性：
  • DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
  • 东芝第3代SiC MOSFET
  • 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
  • 低漏源导通电阻×栅漏电荷
  • 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

 

  • 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25°C）

器件型号

TW031V65C

TW054V65C

TW092V65C

TW123V65C

封装

名称

DFN8×8

尺寸（mm）

典型值

8.0×8.0×0.85

绝对最大额定值

漏极-源极电压VDSS（V）

650

栅极-源极电压VGSS（V）

–10至25

漏极电流（DC）ID（A）

Tc＝25°C

53

36

27

18

电气特性

漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）

VGS＝18V

典型值

31

54

92

123

栅极阈值电压Vth（V）

VDS＝10V

3.0至5.0

总栅极电荷Qg（nC）

VGS＝18V

典型值

65

41

28

21

栅极-漏极电荷Qgd（nC）

VGS＝18V

典型值

10

6.2

3.9

2.3

输入电容Ciss（pF）

VDS＝400V

典型值

2288

1362

873

600

二极管正向电压VDSF（V）

VGS＝–5V

典型值

–1.35

 

 

 

 
 

 

注：

[1] 截至2025年5月。

[2] 电阻、电感等。

[3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。

[4] 截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。

[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。


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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

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