【ZiDongHua 之“半导体产业链”标注关键词： WOLFSPEED MOSFET 碳化硅 MES】
 

　　Wolfspeed第四代碳化硅MOSFET技术平台荣获2025亚洲金选奖年度大奖

 
　　Wolfspeed 第四代 (Gen 4) 
 
　　碳化硅 MOSFET 技术平台
 
　　荣获 2025 亚洲金选奖年度大奖
 
　　EE Awards Asia 2025 亚洲金选奖颁奖典礼于 12 月 5 日在中国台北隆重召开。在《EE Times》及《EDN》专业技术媒体与科技人士的共同见证、票选下，发布半导体体电子产业界年度业者和应用产品推荐榜单，以及最佳设计解决方案。
 
　　亚洲金选奖（EE Awards Asia）的诞生来自于工程师信赖的选择，期能以创新专业的模式达成“与电子产业共创未来、和工程师一起改变世界”的宗旨，共同支持创新及努力！经过多轮角逐，Wolfspeed 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技术平台荣获“技术平台奖-年度最佳车用平台”。
 
 
　　Wolfspeed 第四代 （Gen 4） 碳化硅 MOSFET 技术平台专为改善高功率设计中常见的开关行为与设计挑战而开发。 此平台提供 750V、1200V 及 2300V 等多种电压等级，为 Wolfspeed 功率器件产品线制定了长期技术发展蓝图。Wolfspeed 第四代 （Gen 4） 碳化硅 MOSFET 技术将为高功率车用领域以及工业应用与可再生能源系统的设计者提供显著的性能增强。
 
 
　　专为极端环境而设计，确保长期可靠运作
 
　　Wolfspeed 第四代（Gen 4）器件具备高达 2.3 微秒的短路耐受时间，为关键应用提供额外的安全裕量。 相较于前代技术，该平台将宇宙射线瞬态故障率（FIT）改善达 100 倍，确保在不同海拔高度下皆能维持可靠性能。 体二极管设计优化可提升系统效能与耐用性，实现更快开关速度、更低损耗与减少振铃现象——使 VDS 过冲降低 80%。 经过优化设计的第四代 (Gen 4) 芯片通过 185 °C 连续运作与 200 °C 有限寿命运作认证，为追求极致性能的设计提供灵活空间。
 
　　专为全面提升系统效率而设计
 
　　Wolfspeed 第四代（Gen 4）器件可在工作温度下实现特定导通电阻降低达 22%，有效减少轻载与满载时的导通损耗。 在硬开关应用中，更能带来开关损耗降低 15% 的优势。 此效能提升结合第四代器件优异的 175°C RDS(on) 表现，充分体现 Wolfspeed 对实际工作环境中可靠性能的承诺。
 
　　专为降低系统成本与缩短开发周期而设计
 
　　Wolfspeed 新一代平台能采用更小型、更经济的被动与滤波组件，从而缩短系统开发时间并降低成本。 此外，第四代（Gen 4）器件可在相同封装尺寸下实现高达 30% 的功率输出提升。 其集成的新型软恢复体二极管设计能大幅降低反向恢复时的 EMI 干扰，不仅简化 EMI 认证流程，更可缩减 EMI 滤波器的尺寸需求。
 
　　基于业界领先的第四代 (Gen 4) 技术平台开发，Wolfspeed 近期推出了最新的车规级 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET E4MS 系列。
 
 
　　E4MS 系列采用了软恢复体二极管，可实现快速开关，同时将过冲和振铃降至最低，从而为工程师提供了更大的设计空间，以便在应用中调整和优化性能。与前代 E3M 系列器件相比，E4MS 系列在开通能量 Eon、反向恢复能量 Err 和关断能量 Eoff 损耗均有改善，同时在 125 °C 条件下的导通电阻 RDS(on) 降低了 22%。这种平衡设计可在广泛的拓扑结构中提供最大的性能和效率。
 
　　除了改进的开关性能外，E4MS 系列还提供瞬态过压能力、在高母线电压下更长的使用寿命以及宽栅极电压兼容性，以实现简化的即插即用替换。作为车规级产品组合的一部分，E4MS 系列通过 AEC-Q101 认证。
 
　　专注于车载充电器、DC/DC 转换器、电子压缩机和加热与冷却系统的汽车系统工程师们，现在可以利用我们最新的第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET，设计出更紧凑、更可靠的功率系统，通过简化且具有成本效益的设计实现了多供应商采购灵活性，既能满足严苛的汽车标准，又能优化供应链灵活性。