【ZiDongHua 之“半导体产业链”标注关键词： Wolfspeed MOSFET 碳化硅 SiC】
 

　　Wolfspeed 1200V第四代碳化硅MOSFET系列荣获世纪电源网“功率器件-碳化硅行业卓越奖”

 
　　Wolfspeed 1200V 第四代 (Gen 4) 
 
　　碳化硅 MOSFET 系列
 
　　荣获世纪电源网“功率器件-碳化硅行业卓越奖”
 
　　作为碳化硅 (SiC) 行业全球引领者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技术平台与 1200V 工业级、1200V 车规级产品系列，重新定义功率半导体器件的性能和耐久性，旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现。
 
　　Wolfspeed 业界领先的第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技术平台与 1200V 产品系列近期捷报频传。在 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 系列荣获行家极光奖“2025年度优秀产品奖”、第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技术平台荣获 EE Awards Asia 2025 亚洲金选奖 “技术平台奖 – 年度最佳车用平台”之后，Wolfspeed 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 系列再次夺得世纪电源网”2025 功率器件 - 碳化硅行业卓越奖”。
 
 
　　Wolfspeed 销售经理周春然先生出席颁奖典礼
 
　　由电源行业门户网站和品牌的世纪电源网主办的“第四届电源行业配套品牌颁奖晚会”于 12 月 6 日在深圳隆重举办。活动旨在通过客观、真实、公开的评选方式，评选出电源行业中优秀的企业进行表彰，助力电源行业的蓬勃发展！
 
　　Wolfspeed 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 系列代表了功率半导体设计的重大突破，为要求严苛的工业级和车规级应用优化设计，提供了卓越的灵活性与优异的性能，使设计工程师能够以更少的资源实现更多的功能。
 
 
　　高效性能，无需妥协
 
　　Wolfspeed 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 系列实现了突破性的性能提升，帮助工程师们能够满足苛刻的效率和功率输出目标，同时降低整体碳化硅用量要求，并符合全球范围内的能源标准。与 Wolfspeed 前几代产品相比，新的 1200V 系列在 125°C 下的导通电阻 Rds(on) 降低了 22%。此外，通过更快的开关速度实现了更高的功率密度，同时带来了漏源电压 Vds 过冲降低 50%、开通能量 Eon 降低 60% 以及开关能量 Esw 降低 30% 的优异表现。这些改进使设计工程师们能够提高开关频率以增加功率密度，或者优化系统以实现效率最大化和更长的使用寿命。
 
　　无惧挑战性能极限
 
　　电压尖峰保护在高功率应用中至关重要。Wolfspeed 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 系列具有软恢复体二极管，其 di/dt 性能比竞争解决方案优 2.3 倍，可显著降低瞬态事件对应用造成损坏的风险。除了最大限度地减少应用中的电压应力外，1200V 器件的宇宙射线失效率 FIT 也降低了 100 倍，从而减少了过度的电压降额。由于功率损耗降低，元件上的热应力得以最小化，从而增强了长期可靠性并延长了运行寿命。
 
　　多供应商采购灵活性，简化设计并降低成本
 
　　考虑到当今的供应链挑战，Wolfspeed 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 系列设计具有 15-18V  栅极驱动兼容性。这一战略决策为多源采购策略提供了支撑，使得设计工程师们可以选用多家供应商的器件，从而显著降低供应链风险。与此同时，1200V 系列具备 0V 关断能力，这有助于实现安全运行，同时通过简化的栅极驱动电路和更少的外部元件来降低物料清单成本 (BOM)。该系列提供 TO-247-4、TO-247-4 LP (Low Profile)(gate 和 Kelvin source pin 粗细优化)、TO-263-7 XL 和顶部散热 (U2) 等多种封装形式，导通电阻 Rds(on) 选项范围为 25mΩ 至 65mΩ。